邮箱:ldufwb@163.com
地址:山东省烟台市芝罘区红旗中路186号
所属领域:新一代信息技术
成果形式:发明专利
成熟度:研发阶段
转化方式:技术转让
联系人:张登英
成果简介: 该成果的制备方法与常规的黑硅绒面制备技术相比能够有效地减少贵金属的 消耗,可以避免额外的表面复合,且微纳复合结构形状周期均可控,能够在兼顾电学性能的 前提下极大地增加多晶硅片对太阳光的吸收。
上一条:一种中空微通道结构的制备方法 下一条:一种在球面基底上实施软光刻技术的装置及其使用方法
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