所属领域：新一代信息技术

成果形式：发明专利

成熟度：研发阶段

转化方式：技术转让

联系人：张登英

成果简介：该成果解决了利用现有的光刻技术来制备微米级双层结构时只能通过复杂的 套刻工艺来实现的问题。适用于半导体制造、功能性界面材料、多尺度微纳结构制造等应用 领域。