所属领域：新一代信息技术

成果形式：新技术

成熟度：试生产或应用阶段

拟采取的转化方式：技术转让

联系人：李正

成果简介：新型三维电极硅探测器高端芯片，具有超快响应时间，强抗辐照能力，能实现X射线成像等特点，该探测器是唯一能够探测高重频率(≥433 MHz)、超快、超亮XFEL（X射线自由电子激光器）的探测器结构。对生物医药、新材料、新能源、行星与天体、聚变能源、X射线成像、大型科学装置、武器物理、战略核武器安全和新型战略武器都有重大的意义，是我国战略发展和战略安全的重大需求。相关产品技术指标应达到国际领先水平。具体指标如下：

（1）最小响应时间≤ 500 ps；（2）最小深宽比≥ 20：1；

（3）最大非灵敏区域≤ 10%；（4）抗辐照能力≥ 10¹⁶ n/cm²；

（5）位置分辨率≤ 150 μm。